RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
65
Intorno -242% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.1
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
19
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
20.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
18.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
3905
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Golden Empire CL7-7-7 D3-1066 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link