RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
60
65
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
60
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
2511
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link