RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
60
65
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
60
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2511
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link