RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
65
Intorno -160% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
25
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
2889
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link