RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
65
Около -160% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.6
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2889
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Elpida EBJ41UF8BCF0-DJ-F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link