RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
65
Около -160% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.6
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2889
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
UMAX Technology 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link