RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
24
Intorno -4% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
23
Velocità di lettura, GB/s
16.0
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2684
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Corsair CMD16GX3M2A2400C10 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link