RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
25
Intorno 4% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
25
Velocità di lettura, GB/s
16.0
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3402
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link