RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
27
Intorno 11% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
27
Velocità di lettura, GB/s
16.0
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3683
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link