RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3683
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link