RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
75
Intorno 68% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
14.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
6.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
75
Velocità di lettura, GB/s
16.0
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
6.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
1548
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link