Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

24 52

Intorno 54% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

16 10.2

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.5 8.2

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 17500

Intorno 1.1% larghezza di banda superiore

Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2925 2319

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns