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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
52
Por volta de 54% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17500
Por volta de 1.1% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
52
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
10.2
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
8.2
Largura de banda de memória, mbps
19200
17500
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2319
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
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