RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
52
Около 54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17500
Около 1.1% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
52
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
10.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17500
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2319
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link