RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
52
Около 54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17500
Около 1.1% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
52
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
10.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17500
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2319
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link