RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Confronto
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,036.1
15.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
75
Intorno -178% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
27
Velocità di lettura, GB/s
3,986.4
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,036.1
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
714
3711
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link