RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Confronto
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,036.1
15.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
75
Intorno -178% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
27
Velocità di lettura, GB/s
3,986.4
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,036.1
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
714
3711
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link