RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Сравнить
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB против InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,036.1
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
75
Около -178% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,986.4
18.0
Скорость записи, Гб/сек
2,036.1
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
714
3711
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link