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Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Confronto
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB vs Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Punteggio complessivo
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Differenze
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Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
45
Intorno -67% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.2
8.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
4.1
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
45
27
Velocità di lettura, GB/s
8.1
12.2
Velocità di scrittura, GB/s
4.1
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1302
1763
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
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