RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Confronto
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
12.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
42
Intorno -11% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
38
Velocità di lettura, GB/s
15.7
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.4
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2352
2283
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link