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Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

総合得点
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Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

総合得点
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 15.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.4 left arrow 12.0
    テスト平均値
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    38 left arrow 42
    周辺 -11% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    15.7 left arrow 15.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.4 left arrow 12.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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