RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сравнить
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB против Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
42
Около -11% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
38
Скорость чтения, Гб/сек
15.7
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.4
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2352
2283
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link