RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Porównaj
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
42
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
38
Prędkość odczytu, GB/s
15.7
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.4
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2352
2283
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link