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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
6.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
51
Intorno -82% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
28
Velocità di lettura, GB/s
15.6
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
6.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
2312
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2666C12 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
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