RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
6.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
51
Около -82% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
13.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2312
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor KLCC28F-A8KI5 512MB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link