RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
11.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
92
Intorno -207% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.1
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
30
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
11.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
6.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
1254
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link