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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
92
Intorno -217% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
29
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
3384
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
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