RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
92
Intorno -241% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.6
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
27
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
22.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
19.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
4052
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link