RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
92
Около -241% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.6
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
22.0
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
19.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
4052
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link