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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
70
92
Intorno -31% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
70
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
1838
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
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