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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
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Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
92
Intorno -441% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.6
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
17
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
21.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
15.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
3481
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
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