RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
92
Intorno -229% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
28
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
2903
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 99U5584-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link