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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
18.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
92
Intorno -241% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.8
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
27
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
17.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
3963
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
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