RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
92
Около -241% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.8
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
18.7
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3963
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Mushkin 991586 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU6AFR8C-PB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link