RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Confronto
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
39
Intorno -30% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
9.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
30
Velocità di lettura, GB/s
13.7
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.7
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2431
3188
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link