RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Comparar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
39
Por volta de -30% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
9.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.7
13.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2431
3188
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB Comparações de RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link