RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Confronto
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Punteggio complessivo
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
54
Intorno -86% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
1,308.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
29
Velocità di lettura, GB/s
3,573.5
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,308.1
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
371
3529
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link