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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
比较
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
总分
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
总分
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
54
左右 -86% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.1
1,308.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
29
读取速度,GB/s
3,573.5
18.3
写入速度,GB/s
1,308.1
15.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
371
3529
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
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