RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
54
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3529
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link