RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Comparez
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Note globale
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Note globale
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
54
Autour de -86% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
1,308.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,573.5
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,308.1
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
371
3529
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link