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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
44
Intorno 5% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.7
8.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.0
5.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
44
Velocità di lettura, GB/s
9.7
8.5
Velocità di scrittura, GB/s
6.0
5.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1396
1660
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
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