RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
71
Intorno -115% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
33
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2817
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2133C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link