RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
71
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2817
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link