RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
18.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
71
Intorno -223% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
22
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2580
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link