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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
18.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
71
Por volta de -223% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
22
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
12.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
2580
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
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