RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
71
Wokół strony -223% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2580
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link