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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
71
Intorno -184% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
25
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2489
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
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