RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
71
Около -184% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.2
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
25
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
15.1
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2489
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link