RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
71
Wokół strony -184% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2489
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link