Confronto tra le RAM PNY Electronics PNY 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB

Punteggio complessivo

PNY Electronics PNY 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

27 63

Intorno 57% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

8.4 8.2

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

16.6 13.8

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 10600

Intorno 2.01 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

PNY Electronics PNY 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2274 1863

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns