RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
27
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
25
Velocità di lettura, GB/s
13.8
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
2945
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link