RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
27
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
25
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
11.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2945
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link