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PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
13.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
27
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
26
Velocità di lettura, GB/s
13.8
13.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
2673
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
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Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
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